用指针式万用表置于X1k电阻挡,黑表笔接B,红表笔接E,如果表针纹丝不动,则说明发射结不通,判断为坏;
黑表笔接B,红表笔接C,如果表针纹丝不动,则说明集电结不通,判断为坏。
黑表笔接C,红表笔接E,若表针会有摆动,则说明C-E间已击穿,判断为坏。
基区体电阻,也叫基区电阻,取决于基区的面积、厚度、掺杂浓度。是三极管制作的工艺参数,一般为了方便计算取一个常数,传统上小功率管300欧或200欧,高频管100欧;
实际上可能还要加上一个条件“锗管”,因为这个传统参数是从那个时代“传统”下来的。现在的实验数据都证实这个值远小于300欧,通常只有几十欧。
S9018三极管参数具体如下:
极性:NPN;
Power dissipation PCN(mw)功率:200mW;
Collector current lc(mA)电流:50mA;
Collector-base voltage BVCBO(V)集电极-基极电压:30V;
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO(V)集电极-发射极电压:15V;
Emitter base breakdown voltage BVEBO(V)发射极-基极电压:5V;
DC current gain hFE(min)最小放大倍数:70;
DC current gain hFE(max)最大放大倍数:190。
三极管f9018是硅NPN高频小功率晶体三极管,BⅤcbo=30v,BⅤceo=15v,
B∨ebo=5v,lcM=50mA,Pcm=400mw,hfe=28~200,fT=1.1Ghz。
集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V
集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V
发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V
最大集电极电流ICM=50mA
最大耗散功率PCM=400mW
最高结温TJ=150℃
贮存温度范围TSTG=-55~150℃
直流放大倍数HFE=28~200
特性频率fT=1.1GHz
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